特許
J-GLOBAL ID:201703003476563507

電極構造の製造方法、センサ電極の製造方法、電極構造およびセンサ電極

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (2件): 山下 昭彦 ,  岸本 達人
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2016-018358
公開番号(公開出願番号):特開2017-138164
出願日: 2016年02月02日
公開日(公表日): 2017年08月10日
要約:
【課題】非腐食性の貴金属材料の使用量を低減可能な電極構造の製造方法を提供する。【解決手段】絶縁性を有する基材1と、基材の一方の表面に非腐食性の貴金属材料により形成され、櫛形形状の櫛形電極14を含む電極部を有する電極層3と、を有する電極構造を製造するための電極構造の製造方法であって、基材の一方の表面に、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含むめっき下地層を、電極層のパターン形状と同一のパターン形状に形成するめっき下地層形成工程と、めっき下地層の表面に、無電解めっき法により上記電極層を形成する無電解めっき工程と、を有する。【選択図】図1
請求項(抜粋):
絶縁性を有する基材と、 前記基材の一方の表面に非腐食性の貴金属材料により形成され、櫛形形状の櫛形電極を含む電極部を有する電極層と、 を有する電極構造を製造するための電極構造の製造方法であって、 前記基材の一方の表面に、無電解めっき用触媒核およびバインダ樹脂を含むめっき下地層を、前記電極層のパターン形状と同一のパターン形状に形成するめっき下地層形成工程と、 前記めっき下地層の表面に、無電解めっき法により前記電極層を形成する無電解めっき工程と、 を有することを特徴とする電極構造の製造方法。
IPC (2件):
G01N 27/327 ,  G01N 27/416
FI (4件):
G01N27/327 353Z ,  G01N27/327 353R ,  G01N27/416 338 ,  G01N27/416 336G
引用特許:
審査官引用 (8件)
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