特許

J-GLOBAL ID：201703020630008483

SiC単結晶

発明者： 宇治原 徹 ,  原田 俊太 ,  村山 健太
出願人/特許権者： 国立大学法人名古屋大学
代理人 (1件)： 名古屋国際特許業務法人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2015-193859
公開番号（公開出願番号）：特開2017-065977
出願日： 2015年09月30日
公開日（公表日）： 2017年04月06日
要約：

【課題】液相成長法により比較的少ない工数かつ比較的短時間で多形の生成を抑制しつつ貫通らせん転位の少ないSiC単結晶を製造し得るSiC種結晶の提供。【解決手段】液相法によるSiC結晶成長において用いられる種となるSiC単結晶であって、表面に、(0001)面に対し1度以上のオフ角を有する第1の領域A1と1度未満のオフ角を有する第2の領域A2とを備え、第1の領域A1と第2の領域A2とがなす角度が鈍角であり、第2の領域A2において、貫通らせん転位を100個/cm2以上、好ましくは200個/cm2以上、かつ8000個/cm2未満有するSiC種結晶。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

液相法によるSiC結晶成長において用いられる種となるSiC単結晶であって、 表面に、(0001)面に対し1度以上のオフ角を有する第1の領域と1度未満のオフ角を有する第2の領域とを備え、前記第1の領域と前記第2の領域とがなす角度が鈍角であり、前記第2の領域において貫通らせん転位を100個/cm2以上有するSiC単結晶。

IPC (2件)：

C30B 29/36 ,  C30B 19/12

FI (2件)：

C30B29/36 A ,  C30B19/12

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077BE08 ,  4G077CG02 ,  4G077ED04 ,  4G077ED05 ,  4G077ED06 ,  4G077HA12 ,  4G077QA04 ,  4G077QA71 ,  4G077QA77 ,  4G077QA79

引用特許：

審査官引用 (4件)

• SiC単結晶の製造方法およびSiC単結晶
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-185975   出願人：国立大学法人名古屋大学
• 六方晶単結晶の製造方法、六方晶単結晶ウエハの製造方法、六方晶単結晶ウエハ、六方晶単結晶素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-102573   出願人：一般財団法人電力中央研究所
• 種結晶とそれを用いた炭化珪素単結晶の製造方法、炭化珪素単結晶体および単結晶製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-171134   出願人：株式会社デンソー
• 炭化ケイ素単結晶の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-114626   出願人：株式会社豊田中央研究所, 株式会社デンソー