特許
J-GLOBAL ID：201403058254359843
六方晶単結晶の製造方法、六方晶単結晶ウエハの製造方法、六方晶単結晶ウエハ、六方晶単結晶素子
発明者：
,
,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：
栗原 浩之
, 村中 克年
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2013-102573
公開番号（公開出願番号）：特開2014-166937
出願日： 2013年05月14日
公開日（公表日）： 2014年09月11日
要約：
【課題】 六方晶単結晶上を土台として新たに六方晶単結晶層を形成するに際し、六方晶単結晶中に含まれる貫通転位をc軸方向から基底面側に屈折させ、該貫通転位を結晶の外部に排出することができる六方晶単結晶の製造方法を提供する。【解決手段】 六方晶単結晶の成長工程において、結晶成長を行う際の土台となる六方晶単結晶に、結晶成長主面となる基底面{0001}に対して第1方向[11-20]にオフ角を設定し、第1方向[11-20]に平行な基準線AA′から、第1方向[11-20]と直交する両側の第2方向[-1100]、[1-100]に向かって階段状に結晶厚みを減少させる断面形状を形成しておくことで、前記六方晶単結晶に含まれているc軸方向に貫通する転位を、結晶成長時にc軸方向から前記基底面側に40°以上傾いた欠陥に変換させ、かつ第1方向[11-20]の反対方向[-1-120]と第2方向[-1100]、[1-100]の間の方向に欠陥の伝播方向を制御して、結晶の外部に欠陥を排出する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
六方晶単結晶の成長工程において、
結晶成長を行う際の土台となる六方晶単結晶に、結晶成長主面となる基底面に対して第1方向にオフ角を設定し、
前記第1方向に沿った単一の基準線から、前記第1方向と直交する両側の第2方向に向かって階段状に結晶厚みを減少させる断面形状を形成しておくことで、
前記六方晶単結晶に含まれているc軸方向に貫通する転位を、結晶成長時にc軸方向から前記基底面側に40°以上傾いた欠陥に変換させ、かつ前記第1の方向の反対方向と第2方向の間の方向に欠陥の伝播方向を制御して、結晶の外部に欠陥を排出することを特徴とする六方晶単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (17件)：
4G077AA02
, 4G077BE08
, 4G077CG01
, 4G077DA02
, 4G077DA18
, 4G077DB04
, 4G077DB07
, 4G077EA01
, 4G077ED04
, 4G077ED05
, 4G077ED06
, 4G077EE02
, 4G077EE07
, 4G077FG11
, 4G077FJ03
, 4G077HA06
, 4G077HA12
出願人引用 (8件)
全件表示
審査官引用 (8件)
全件表示
前のページに戻る
