特許
J-GLOBAL ID：200903005901270080
炭化ケイ素単結晶の製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (2件)：
高橋 祥泰
, 岩倉 民芳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-114626
公開番号（公開出願番号）：特開2004-323348
出願日： 2004年04月08日
公開日（公表日）： 2004年11月18日
要約：
【課題】螺旋転位が少なく、かつ異種多形結晶や異方位結晶の混入がほとんどない炭化ケイ素単結晶の製造方法を提供すること。【解決手段】転位制御種結晶1の成長面上に、バルク状の炭化ケイ素単結晶10を成長させて炭化ケイ素単結晶10を製造する方法である。該製造方法においては、周囲よりも高密度で螺旋転位19を発生させることができる螺旋転位発生可能領域15を有する転位制御種結晶1を準備する(種結晶準備工程)。そして、転位制御種結晶1上に、炭化ケイ素単結晶10を成長させる(成長工程)。成長工程において、成長中の炭化ケイ素単結晶10は、途中表面103に平坦なc面ファセット105を有し、c面ファセット105と、螺旋転位発生可能領域15をc軸方向又は上記成長面に垂直な方向において途中表面103に投影した領域とが重なるように成長させる。【選択図】図1
請求項（抜粋）：
炭化ケイ素単結晶よりなる種結晶の成長面上に、バルク状の炭化ケイ素単結晶を成長させて炭化ケイ素単結晶を製造する製造方法において、
上記種結晶として、{0001}面よりオフセット角度60度以内の面を上記成長面として有し、成長中の上記炭化ケイ素単結晶に螺旋転位を周囲よりも高密度で発生させることができる螺旋転位発生可能領域を、上記成長面上の50%以下の領域に有する転位制御種結晶を準備する種結晶準備工程と、
上記転位制御種結晶の上記成長面上に、上記炭化ケイ素単結晶を成長させて、上記炭化ケイ素単結晶を作製する成長工程とを有し、
上記成長工程において、上記成長面上に形成される成長中の炭化ケイ素単結晶は、その成長途中の表面である途中表面に平坦なc面ファセットを有し、該c面ファセットと、上記成長面上の上記螺旋転位発生可能領域をc軸方向又は上記成長面に垂直な方向において上記途中表面に投影した領域とが、少なくとも一部で重なるように炭化ケイ素単結晶を成長させることを特徴とする炭化ケイ素単結晶の製造方法。
IPC (1件)：
FI (1件)：
Fターム (11件)：
4G077AA02
, 4G077AB01
, 4G077AB02
, 4G077BE08
, 4G077DA18
, 4G077ED01
, 4G077ED02
, 4G077EH06
, 4G077HA06
, 4G077SA01
, 4G077SA08
出願人引用 (2件)
審査官引用 (2件)
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SiC単結晶の成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-286956
出願人：新日本製鐵株式会社
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単結晶の成長方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平6-199417
出願人：松下電器産業株式会社
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