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J-GLOBAL ID：201802217716926911   整理番号：18A1699059

レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO₂/SiC界面の特性評価

著者 (7件)： 西村辰彦 (SCREEN) ,  中西英俊 (SCREEN) ,  川山巌 (阪大 レーザー研) ,  斗内政吉 (阪大 レーザー研) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20a-141-10  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *炭化ケイ素 ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  *二酸化ケイ素 ,  熱酸化 ,  欠陥 ,  捕獲中心 ,  光学顕微鏡 ,  画像診断 ,  薄膜コンデンサ ,  *容量電圧特性 ,  発生 ,  レーザ顕微鏡 ,  *テラヘルツ放射
準シソーラス用語： *MOSキャパシタ ,  テラヘルツイメージング ,  *テラヘルツ波発生 ,  ドライ酸化 ,  *レーザテラヘルツエミッション顕微鏡 ,  界面欠陥

分類 (1件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X)

タイトルに関連する用語 (5件)： 顕微鏡 ,  SiO2 ,  SiC ,  界面 ,  特性評価