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J-GLOBAL ID：201802241471115234   整理番号：18A1699820

凹凸AlGaN層導入によるAlGaN/GaN HEMT構造のコンタクト抵抗低減手法におけるドットアレイ状平面パターンのサイズ効果

著者 (7件)： 久永真之佑 (東京工大) ,  渡部拓巳 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-331-12  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 窒化ガリウム ,  アルミニウム化合物 ,  ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  *HEMT ,  *接触抵抗 ,  サイズ効果 ,  *Ohm接触 ,  電子ビームリソグラフィー ,  アレイ ,  ドットアレイ ,  窒化アルミニウムガリウム ,  伝送線路行列法
準シソーラス用語： TLM法 ,  電子ビーム露光

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (9件)： 凹凸 ,  AlGaN ,  GaN ,  HEMT ,  コンタクト ,  抵抗低減 ,  手法 ,  ドットアレイ ,  サイズ効果