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J-GLOBAL ID：201802251454604094   整理番号：18A1700745

ホウ素濃度の異なるp型基板上に作製したダイヤモンドp-i-nダイオードからの電子放出の比較

著者 (10件)： 本部達也 (中央大) ,  本部達也 (産業技術総合研) ,  牧野俊晴 (産業技術総合研) ,  加藤宙光 (産業技術総合研) ,  小倉政彦 (産業技術総合研) ,  大串秀世 (産業技術総合研) ,  山崎聡 (産業技術総合研) ,  竹内大輔 (中央大) ,  竹内大輔 (産業技術総合研) ,  庄司一郎 (中央大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.21p-232-16  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *PINダイオード ,  *電子放出 ,  *ダイヤモンド ,  電子親和力 ,  ホウ素 ,  ドーピング ,  プラズマCVD ,  誘導結合プラズマ ,  プラズマエッチング ,  負電子親和力 ,  マイクロ波プラズマCVD ,  *ボロンドープダイヤモンド ,  *鉱石 ,  *宝石 ,  プラズマ
準シソーラス用語： *ホウ素ドープダイヤモンド

分類 (2件)： ダイオード  (NC03050R) ,  電子放出一般  (BM09010H)

タイトルに関連する用語 (5件)： ホウ素 ,  作製 ,  ダイヤモンド ,  ダイオード ,  電子放出