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J-GLOBAL ID：201802261169500396   整理番号：18A0633322

立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの貫通転位の低減

著者 (10件)： 濱田拓也 (東京工大) ,  黒岩宏紀 (東京工大) ,  高橋言緒 (産業技術総合研) ,  井手利英 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 65th  ページ： ROMBUNNO.19p-C302-18  発行年： 2018年03月05日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *トランジスタ ,  *チャネル ,  化合物半導体 ,  *窒化ガリウム ,  *選択成長 ,  *貫通転位 ,  電子顕微鏡観察 ,  透過型電子顕微鏡
準シソーラス用語： 立体チャネル

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (7件)： 立体 ,  チャネル ,  トランジスタ ,  応用 ,  選択成長 ,  GaN ,  貫通転位