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J-GLOBAL ID：201802275859243728   整理番号：18A1699814

立体チャネルトランジスタ応用に向けた選択成長GaNの異方性エッチング

著者 (10件)： 向井勇人 (東京工大) ,  濱田拓也 (東京工大) ,  高橋言緒 (産業技術総合研) ,  井手利英 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.20p-331-6  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  エッチング ,  *選択成長 ,  化合物半導体 ,  MOCVD ,  ファセット ,  FET【トランジスタ】
準シソーラス用語： *FinFET ,  *異方性エッチング

分類 (1件)： 固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

物質索引 (1件)： TMAH

タイトルに関連する用語 (7件)： 立体 ,  チャネル ,  トランジスタ ,  応用 ,  選択成長 ,  GaN ,  異方性エッチング