文献

J-GLOBAL ID：201802278109348219   整理番号：18A1698621

大面積集積化に向けたスパッタMoS₂薄膜を用いたTop-Gate nMISFETs

著者 (10件)： 松浦賢太朗 (東京工大) ,  清水淳一 (東京工大) ,  外山真矢人 (東京工大) ,  大橋匠 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  石原聖也 (明治大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大) ,  小椋厚志 (明治大) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 79th  ページ： ROMBUNNO.19p-233-6  発行年： 2018年09月05日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： 素子構造 ,  *MISFET ,  *硫化モリブデン ,  化合物半導体 ,  半導体材料 ,  微細加工 ,  スパッタリング ,  スパッタ蒸着 ,  半導体薄膜 ,  化学蒸着 ,  ケイ素 ,  二酸化ケイ素 ,  チタン化合物 ,  窒化物 ,  酸化アルミニウム ,  RIE【エッチング】 ,  集積 ,  チャネル移動度 ,  窒化チタン
準シソーラス用語： トップゲート構造 ,  リフトオフ ,  原子層蒸着 ,  高集積化

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 大面積 ,  集積化 ,  スパッタ ,  MoS2 ,  薄膜