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J-GLOBAL ID：201802287470230456   整理番号：18A1182767

エピタキシャル成長したHfO₂基強誘電体膜における結晶構造の膜厚依存性

著者 (8件)： 三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  木口賢紀 (東北大) ,  赤間章裕 (東北大) ,  今野豊彦 (東北大) ,  勝矢良雄 (NIMS) ,  坂田修身 (NIMS) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2018  ページ： ROMBUNNO.1P180  発行年： 2018年03月01日 
JST資料番号： X0505B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： エピタクシー ,  *誘電体薄膜 ,  *結晶構造 ,  依存性 ,  酸化ハフニウム ,  蛍石型結晶 ,  パルスレーザ蒸着 ,  X線回折 ,  *強誘電体薄膜 ,  膜厚依存性
準シソーラス用語： エピタキシャル成長 ,  *二酸化ハフニウム

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： エピタキシャル成長 ,  HfO2 ,  強誘電体膜 ,  結晶構造 ,  膜厚依存性