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J-GLOBAL ID:201902217702994783   整理番号:19A1616987

光電子ホログラフィー法によるシリコン中に高濃度ドープされた活性および不活性な不純物原子の三次元原子配列構造の観測

Observation of three dimensional atomic arrangements of active and inactive impurities heavy doped in silicon by using photoelectron holography method
著者 (12件):
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巻: 119  号: 96(SDM2019 25-35)  ページ: 23-27  発行年: 2019年06月14日 
JST資料番号: S0532B  ISSN: 0913-5685  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 原著論文  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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光電子ホログラフィー法と第一原理計算を組み合わせて,Si中にドープしたAsの三次元原子配列構造を明らかにした。Asは,Si結晶格子を単独で置換して電気的に活性化した構造,AsnV(n=2~4)と呼ばれているクラスター構造および局所的に秩序性のない構造でいずれも電気的に不活性な状態の三種類の構造で共存していることがわかった。(著者抄録)
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分類 (1件):
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半導体の格子欠陥 
引用文献 (11件):

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