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J-GLOBAL ID：201902243721505737   整理番号：19A1370309

FinFET応用に向けた選択成長GaNチャネルの電気特性

著者 (10件)： 濱田拓也 (東京工大) ,  向井勇人 (東京工大) ,  高橋言緒 (産業技術総合研) ,  井手利英 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-M121-5  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】GaN系半導体の選択成長は、ELO技術などエピ成長層の高品質化技術の基礎として研究されてきた[1]と共に、ナノデバイスの構造要素の形成技術としても関心を集めている[2]。選択成長は、FinFETのようなGaN立体チャネルトランジ...【本文一部表示】

シソーラス用語： チャネル ,  *FET【トランジスタ】 ,  *窒化ガリウム ,  選択成長 ,  電気特性 ,  *フィン ,  格子欠陥 ,  エピタクシー ,  エッチング ,  MOCVD ,  電流電圧特性 ,  マイグレーション【化学物質】 ,  キャリア密度
準シソーラス用語： *FinFET

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (6件)： FinFET ,  応用 ,  選択成長 ,  GaN ,  チャネル ,  電気特性