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J-GLOBAL ID：201902254687820950   整理番号：19A2619033

HfO₂基薄膜の電界誘起相転移

著者 (9件)： 田代裕貴 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  勝矢良雄 (NIMS) ,  坂田修身 (NIMS) ,  木口賢紀 (東北大) ,  白石貴久 (東北大) ,  今野豊彦 (東北大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.20a-C309-5  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】近年蛍石構造を有する斜方晶相HfO2基強誘電体が発見され、極薄膜で強誘電特性を示すこと、Siプロセスとの整合性が良いこと、そして微細加工が可能であることなどから注目を集めている[1]。これまで準安定相である斜方晶相(強誘電相)を安定...【本文一部表示】

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *酸化物 ,  *薄膜 ,  *相転移 ,  X線構造解析 ,  ヒステリシス ,  斜方晶系 ,  パルスレーザ蒸着 ,  *酸化物薄膜 ,  X線結晶構造解析 ,  分極ヒステリシス ,  *電場誘起相転移
準シソーラス用語： *二酸化ハフニウム ,  *電界誘起相転移 ,  PLD【蒸着】

分類 (1件)： 酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (3件)： HfO2 ,  薄膜 ,  電界誘起相転移