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J-GLOBAL ID：201902265525933033   整理番号：19A2620212

GaN Fin構造選択成長における低抵抗領域の発生原因の検討

著者 (11件)： 高山研 (東京工大) ,  向井勇人 (東京工大) ,  濱田拓也 (東京工大) ,  高橋言緒 (産業技術総合研) ,  井手利英 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.21a-E301-8  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】我々は選択成長法を用いたGaN系のFinFET型の立体チャネルトランジスタを提案し、選択成長でFin構造を形成しその電気的特性を評価する[1,2]とともにトランジスタの試作も行って来た[3]。この過程で、形成したFin構造の横方...【本文一部表示】

シソーラス用語： *窒化ガリウム ,  選択成長 ,  フィン ,  *FET【トランジスタ】 ,  接触抵抗 ,  *半導体薄膜 ,  回路パターン形成 ,  キャリア密度 ,  マスク ,  漏れ電流 ,  電気的性質 ,  焼なまし ,  チャネル ,  濃度分布 ,  MOCVD
準シソーラス用語： *FinFET ,  ハードマスク

分類 (2件)： トランジスタ  (NC03070N) ,  半導体薄膜  (BK14040E)

タイトルに関連する用語 (4件)： GaN ,  選択成長 ,  低抵抗 ,  原因