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J-GLOBAL ID：201902277131701454   整理番号：19A2618853

部分的に薄層化したAlGaN層によるAlGaN/GaNコンタクト抵抗低減効果の薄層領域パターン依存性

著者 (7件)： 木村安希 (東京工大) ,  久永真之佑 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  岩井洋 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 80th  ページ： ROMBUNNO.19p-PB3-12  発行年： 2019年09月04日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： [はじめに] AlGaN/GaN HEMTの低抵抗オーミックコンタクト形成では、AlGaN層の厚さにトレードオフの関係がある[1]。その克服策として、我々はAlGaN層に部分的に薄い領域を作る凹凸構造の導入を提案し、その有効性を示してきた[...【本文一部表示】

シソーラス用語： *アルミニウム化合物 ,  *ガリウム化合物 ,  窒化物 ,  窒化ガリウム ,  *ヘテロ接合 ,  接触抵抗 ,  半導体薄膜 ,  パターン形成 ,  HEMT ,  RIE【エッチング】 ,  Ohm接触 ,  抵抗低減 ,  *窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *AlGaN ,  低減効果

分類 (1件)： 13-15族化合物を含む半導体-半導体接合  (BM03082Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： 薄層 ,  AlGaN ,  GaN ,  コンタクト抵抗 ,  低減効果 ,  依存性