抄録/ポイント:
抄録/ポイント
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製品設計時や規格試験不適合時に電磁妨害波(EMI)の主要なノイズ源となっている半導体デバイスを低コストで効率的に推定することを目的として,ノイズ源振幅変調を利用したノイズ源毎のEMI強度推定法を提案する。提案法により,EMI低減が必要な周波数においてノイズ源に変調を適用時のEMI強度変動を測定し,それを変調信号に関する知識に基づき解析することで,ノイズ源毎のEMI強度を推定できる。3個のラインドライバICが主要なノイズ源となっている評価プリント基板に対して提案手法を適用し,各ICに起因する遠方界放射強度推定精度を実験により検証した。ノイズ源振幅変調の変調信号には相互相関係数が0.07以下の擬似ランダム2値系列(PRBS)を使用した。提案法により推定した個別ICの放射強度を測定結果と比較した結果,1GHz以下において3dB以下の誤差で遠方界放射強度を推定できた。さらに各ICに起因する放射電界の位相関係を推定し,推定した放射強度と位相関係より算出した基板全体の放射強度が測定結果とよく一致した。以上より,提案法により各ノイズ源に起因するEMIの強度と位相関係を精度良く推定できることを示した。(著者抄録)