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J-GLOBAL ID：201902284387146028   整理番号：19A1370259

レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡を用いたSiO₂/SiC界面の表面ポテンシャル評価

著者 (7件)： 西村辰彦 (SCREEN) ,  中西英俊 (SCREEN) ,  川山巌 (阪大 レーザー研) ,  斗内政吉 (阪大 レーザー研) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 66th  ページ： ROMBUNNO.10a-70A-4  発行年： 2019年02月25日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 熱酸化SiO2/SiC界面には界面欠陥/トラップが高密度に存在するため、チャネル移動度やゲート絶縁膜信頼性の劣化が課題である。さらに、チャネル伝導は界面構造の不均一性に由来する表面ポテンシャル揺らぎによっても制限されうる1)。酸化膜/半導体...【本文一部表示】

シソーラス用語： *電磁波放射 ,  *顕微鏡 ,  二酸化ケイ素 ,  *炭化ケイ素 ,  界面 ,  *表面電位 ,  薄膜コンデンサ ,  容量電圧特性 ,  パルスレーザ照射 ,  *テラヘルツ放射
準シソーラス用語： *テラヘルツ波放射 ,  SiC ,  表面ポテンシャル ,  MOSキャパシタ

分類 (2件)： 金属-絶縁体-半導体構造  (BM03085X) ,  表面の電子構造  (BM02080J)

タイトルに関連する用語 (6件)： 顕微鏡 ,  SiO2 ,  SiC ,  界面 ,  表面ポテンシャル ,  評価