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J-GLOBAL ID：202002224225847834   整理番号：20A0641355

HfO₂基薄膜のZr,Yドープによる結晶相変化と強誘電相の安定性

著者 (9件)： 田代裕貴 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  勝矢良雄 (NIMS) ,  坂田修身 (NIMS) ,  木口賢紀 (東北大) ,  白石貴久 (東北大) ,  今野豊彦 (東北大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： セラミックス基礎科学討論会講演要旨集  (Preprints of the Symposium on Basic Science of Ceramics)
巻： 58th  ページ： 165  発行年： 2020年01月09日 
JST資料番号： L1357A  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： パルスレーザ蒸着により室温で(111)ITO//(111)YSZ基板上にZrおよ...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  *セラミック膜 ,  ジルコニウム ,  イットリウム ,  ドーピング ,  *結晶構造 ,  *強誘電性 ,  安定性 ,  パルスレーザ蒸着

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  セラミック・磁器の性質  (YC03030G) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y)

タイトルに関連する用語 (6件)： HfO2 ,  薄膜 ,  Zr ,  ドープ ,  結晶相 ,  安定性