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J-GLOBAL ID：202002232161313871   整理番号：20A2051983

圧電材料の研究と応用 HfO₂およびZrO₂基強誘電体膜の厚膜化と室温合成

著者 (4件)： 三村和仙 (東京工大) ,  志村礼司郎 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  清水荘雄 (物質・材料研究機構)
資料名： 超音波Techno  (超音波テクノ)
巻： 32  号： 5  ページ： 41-45  発行年： 2020年10月01日 
JST資料番号： L2344A  ISSN： 0916-2410  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 解説  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・HfO₂やZrO₂基材料の強誘電体性は準安定相の直方晶がその起源であるため,従来,厚膜化は困難と考えられていたが,筆者らはYH07組成(特許出願中)を用いることで厚膜化に成功。
・無機強誘電体の室温合成は成膜コストの低減などの要求から求められているが,筆者らはスパッタリング法を用い,成膜条件を最適化することにより,室温合成した膜でも圧電性が得られる可能性を明示。

シソーラス用語： 圧電体 ,  *酸化ハフニウム ,  *酸化ジルコニウム ,  *誘電体薄膜 ,  *強誘電体 ,  厚膜技術 ,  結晶構造 ,  室温 ,  *薄膜成長 ,  定数 ,  誘電率 ,  Young率 ,  曲げ強さ ,  破壊靱性 ,  強誘電体薄膜 ,  圧電定数 ,  機械的性質 ,  強度
準シソーラス用語： 室温合成

分類 (3件)： 圧電デバイス  (NC03110I) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  酸化物薄膜  (BK14050P)

タイトルに関連する用語 (8件)： 圧電材料 ,  研究 ,  応用 ,  HfO2 ,  ZrO2 ,  強誘電体膜 ,  厚膜 ,  室温