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J-GLOBAL ID：202002241613984487   整理番号：20A2052826

ReO₃構造を有する酸フッ化物薄膜の誘電特性

Dielectric properties of ReO₃-type oxyfluoride thin films

著者 (5件)： 小寺正徳 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大) ,  清水荘雄 (物材研) ,  田口綾子 (JFCC) ,  森分博紀 (JFCC)
資料名： 日本セラミックス協会年会講演予稿集(CD-ROM)
巻： 2020  ページ： ROMBUNNO.3B05  発行年： 2020年03月02日 
JST資料番号： X0505B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： ペロブスカイト型構造のない新しい誘電材料を理論的および実験的観点か...【JST・京大機械翻訳】【本文一部表示】

シソーラス用語： 酸化 ,  水熱合成 ,  単結晶 ,  誘電体 ,  誘電体薄膜 ,  誘電率 ,  タンタル ,  *ニオブ ,  アルミナ ,  強誘電性 ,  温度依存性 ,  アニオン ,  薄膜成長 ,  密度汎関数法 ,  ペロブスカイト型結晶 ,  バンドギャップ ,  製膜 ,  第一原理計算

分類 (3件)： 強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B) ,  セラミック・陶磁器の製造  (YC03020V) ,  誘電体一般  (BM05010F)

タイトルに関連する用語 (3件)： 酸フッ化物 ,  薄膜 ,  誘電特性