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J-GLOBAL ID：202002257875645332   整理番号：20A2181404

高ゲージ率Cr-N薄膜及び設計改良によるMEMS触覚センサの感度向上

Sensitivity Enhancement of MEMS Tactile Sensor by Utilizing Cr-N Thin Film with High Gauge Factor and Design Improvement

著者 (4件)： 金田蓮 (新潟大) ,  安部隆 (新潟大) ,  丹羽英二 (電磁研) ,  寒川雅之 (新潟大)
資料名： 電気学会基礎・材料・共通部門大会講演論文集(CD-ROM)  (電気学会基礎・材料・共通部門大会(CD-ROM))
巻： 2020  ページ： ROMBUNNO.1-A-p1-7  発行年： 2020年08月18日 
JST資料番号： L3783B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： ・微小な力の検知を可能とするため,ひずみ検知部への高ゲージ率...

シソーラス用語： クロム化合物 ,...

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分類 (2件)： その他の感覚  (EJ13040X) ,  計測機器一般  (AD02000X)

引用文献 (2件)：

• M. Sohgawa et al., “Tactile sensor array using microcantilever with nickel-chromium alloy thin film of low temperature coefficient of resistance and its application to slippage detection”, Sens. Actuat. A, Vol.186, pp.32-37 (2012)
• 丹羽英二, 佐々木祥弘, “Cr-N感歪薄膜とその圧力センサ応用”, 電気学会論文誌 E, Vol.134, No.12, pp.385-391 (2014)

タイトルに関連する用語 (7件)： ゲージ率 ,  Cr ,  薄膜 ,  設計 ,  MEMS ,  触覚センサ ,  感度向上