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J-GLOBAL ID：202002269240512879   整理番号：20A2239219

400nmレーザーを利用したレーザーテラヘルツエミッション顕微鏡による4H-SiCウエハ特性評価

Characterization of 4H-SiC wafer using a Laser Terahertz Emission Microscope at 400 nm

著者 (8件)： 西村辰彦 (SCREEN) ,  中西英俊 (SCREEN) ,  川山巌 (阪大 レーザー研) ,  川山巌 (京大 大学院) ,  斗内政吉 (阪大 レーザー研) ,  細井卓治 (大阪大 大学院) ,  志村考功 (大阪大 大学院) ,  渡部平司 (大阪大 大学院)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.15a-A201-6  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： レーザーテラヘルツエミッション顕微鏡(Laser Terahertz Emission Microscope:LTEM)は、絶縁膜/半導体界面、半導体表面などの材料界面から放射されるTHz波を検出・イメージ化し、電場/キャリアダイナミクス...【本文一部表示】

シソーラス用語： 界面 ,  光電流 ,  酸化 ,  電場 ,  半導体 ,  フォトダイオード ,  ヒ化ガリウム ,  波長 ,  *炭化ケイ素 ,  レーザビーム ,  ドーピング ,  パルス幅 ,  集光 ,  バンドギャップ ,  テラヘルツ波

分類 (1件)： 光導電素子  (NC03083X)

タイトルに関連する用語 (5件)： レーザー ,  顕微鏡 ,  4H-SiC ,  ウエハ ,  特性評価