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J-GLOBAL ID：202002277493548032   整理番号：20A2236685

ワイドギャップ半導体InGaZnO₄における格子間水素の電子状態

著者 (14件)： 平石雅俊 (KEK 物構研) ,  小嶋健児 (TRIUMF) ,  岡部博孝 (KEK 物構研) ,  幸田章宏 (KEK 物構研) ,  幸田章宏 (総合研究大学院大) ,  門野良典 (KEK 物構研) ,  門野良典 (総合研究大学院大) ,  井手啓介 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  松石聡 (東工大 元素セ) ,  雲見日出也 (東工大 元素セ) ,  神谷利夫 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  神谷利夫 (東工大 元素セ) ,  細野秀雄 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  細野秀雄 (東工大 元素セ)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 67th  ページ： ROMBUNNO.12a-D419-2  発行年： 2020年02月28日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： InGaZnO4はバンドギャップがおよそ3.2eVの透明酸化物半導体である。大きな電界効果移動度(10cm2/V・s)を示し、比較的低温のプロセスで大面積、かつ高品質なアモルファスの膜形成が可能であるため、低コストでの生産が可能であり、現在...【本文一部表示】

シソーラス用語： イオン化 ,  低温 ,  電圧 ,  ドナー ,  薄膜 ,  *水素 ,  薄膜トランジスタ ,  温度依存性 ,  非晶質 ,  スペクトル ,  表示装置 ,  μSR ,  密度汎関数法 ,  バンドギャップ ,  酸化インジウム・ガリウム・亜鉛

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイドギャップ半導体 ,  格子 ,  水素 ,  電子状態