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J-GLOBAL ID:202102217915211167   整理番号:21A0696109

高温高圧処理したPイオン注入ダイヤモンドの特性

Characteristics of P implanted diamond treated by high temperature and high pressure
著者 (11件):
資料名:
巻: 81st  ページ: ROMBUNNO.8p-Z05-4  発行年: 2020年08月26日 
JST資料番号: Y0055B  ISSN: 2758-4704  資料種別: 会議録 (C)
記事区分: 短報  発行国: 日本 (JPN)  言語: 日本語 (JA)
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【はじめに】これまで各種合成技術の発達により高品質ダイヤモンドの作製が可能となり、半導体として有望なダイヤモンドの電子物性が明らかになっている。しかし、高温・高圧合成ダイヤモンドは半導体性能を示すのは困難である。高温・高圧合成は広く用いられ...【本文一部表示】
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分類 (1件):
分類
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炭素とその化合物 
タイトルに関連する用語 (4件):
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