文献

J-GLOBAL ID：202102220412698812   整理番号：21A1185976

選択成長法を用いたGaN系FinFET

GaN FinFETs fabricated by using selective area growth

著者 (10件)： 筒井一生 (東京工大) ,  濱田拓也 (東京工大) ,  高山研 (東京工大) ,  KIM Sangwoo (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  高橋言緒 (産業技術研) ,  井手利英 (産業技術研) ,  清水三聡 (産業技術研)
資料名： 電気学会研究会資料
号： EDD-21-024-033 電子デバイス研究会  ページ： 11-15  発行年： 2021年02月28日 
JST資料番号： Z0924B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： GaN関連材料によって作製されたFinFETは,従来のHEMTと比較してより高い性能を実現することが期待される。本研究では,通常のエッチングプロセスの代わりにGaNの選択領域成長を用いてFin構造を作製した。この方法は,GaN Finチャネルのより良い結晶性をもたらし,より良いデバイス性能が期待される。さらに,GaN FinFETにおけるいくつかの可能なチャネル伝導モード間の比較を議論する。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： *FET【トランジスタ】 ,  *フィン ,  *窒化ガリウム ,  選択成長 ,  チャネル ,  結晶度 ,  素子構造 ,  電流電圧特性 ,  半導体素子 ,  パワーエレクトロニクス

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

引用文献 (10件)：

• K. Ohi and T. Hashizume,′′Drain Current Stability and Controllability of Threshold Voltage and Subthreshold Current in a Multi-Mesa-Channel AlGaN/GaN High Electron Mobility Transistor′′, Jpn. J. Appl. Phys., vol.48, 081002 (2009).
• K.-S. Im, C.-H. Won, Y.-W. Jo, J.-H. Lee, M. Bawedin, S. Cristolovenau and J.-H. Lee, ′′High-Performance GaN-Based Nanochannel FinFETs With/Without AlGaN/GaN Heterostructure′′, IEEE Trans. Electron Devices, vol.60, no.10, pp.3012-3018 (2013).
• X. Zhou , X. Tan, Y. Lv, Y. Wang , X. Song, G. Gu,P. Xu, H. Guo, Z. Feng, and S. Cai, ′′Dynamic Characteristics of AlGaN/GaN Fin-MISHEMTs With A1203 Dielectric′′, IEEE Trans. Electron Devices, vol.65, no.3, pp.928-935 (2018).
• K. Zhang, Y. Kong, G. Zhu, J. Zhou, X. Yu, C. Kong, Z. Li, and T. Chen, ′′High-Linearity AlGaN/GaN FinFETs for Microwave Power Applications′′, IEEE Electron Device Letters, vol.38, no.5 pp.615-618 (2017).
• J.-H. Lee, J.-G. Kim, J.-M. Ju, W.-H. Ahn, S.-H. Kang, J.-H. Lee, ′′AlInGaN/GaN double-channel FinFET with high on-current and negligible current collapse′′, Solid State Electronics, vol164, 107678 (2020).

タイトルに関連する用語 (3件)： 選択成長 ,  GaN ,  FinFET