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J-GLOBAL ID：202102232269187526   整理番号：21A0697121

選択成長法を用いたGaN FinFETの作製:リーク電流抑制の改良

Fabrication of GaN FinFETs using selective area growth: Suppression of leakage

著者 (12件)： 高山研 (東京工大) ,  太田貴士 (東京工大) ,  佐々木満孝 (東京工大) ,  向井勇人 (東京工大) ,  濱田拓也 (東京工大) ,  高橋言緒 (産業技術総合研) ,  井手利英 (産業技術総合研) ,  清水三聡 (産業技術総合研) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  若林整 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.10p-Z04-3  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【はじめに】我々は選択成長法を用いたGaN系のFinFET型の立体チャネルトランジスタを提案し、選択成長でFin構造を形成しその電気的特性を評価する[1,2]とともにトランジスタの試作も行って来た[3]。しかし、形成したFin構造の横方向の...【本文一部表示】

シソーラス用語： エッチング ,  トランジスタ ,  電気的性質 ,  二酸化ケイ素 ,  開口 ,  *漏れ電流 ,  *窒化ガリウム ,  MOCVD ,  *選択成長 ,  窒化アルミニウムガリウム
準シソーラス用語： *FinFET ,  ハードマスク ,  オン状態 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： トランジスタ  (NC03070N)

タイトルに関連する用語 (5件)： 選択成長 ,  GaN ,  FinFET ,  作製 ,  リーク電流