文献

J-GLOBAL ID：202102238539054036   整理番号：21A1574779

複数層WSe₂のサブバンド準位における共鳴トンネル効果の観測

Observation of resonant tunneling effect due to subband in few layer WSe₂

著者 (11件)： 竹山慶 (東大 生産技研) ,  守谷頼 (東大 生産技研) ,  岡崎尚太 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  ZHANG Yijin (東大 生産技研) ,  増渕覚 (東大 生産技研) ,  渡邊賢司 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (東大 生産技研) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  町田友樹 (東大 生産技研) ,  町田友樹 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.18p-Z31-8  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 複数層WSe2は間接遷移型半導体であるため直接遷移型の単層WSe2と異なり注目されてこなかったが、長波長赤外光のエネルギーに対応する準位間隔のサブバンドを形成するため、赤外光デバイス材料としてのポテンシャルを秘めている(図(a))。しかしW...【本文一部表示】

シソーラス用語： *共鳴 ,  赤外線 ,  低温 ,  電気伝導 ,  半導体 ,  Fermi準位 ,  二次元 ,  密度汎関数法 ,  *共鳴トンネル効果 ,  サブバンド間遷移 ,  *サブバンド ,  間接遷移 ,  直接遷移 ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  トンネル障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (3件)： 光導波路,光ファイバ,繊維光学  (BD06030H) ,  レーザの応用  (BD04100V) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

タイトルに関連する用語 (3件)： サブバンド ,  共鳴トンネル効果 ,  観測