Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開  HfO<sub>2</sub>基材料における強誘電性の発現機構

清水荘雄; 三村和仙; 舟窪浩

文献

J-GLOBAL ID：202102243785347605 整理番号：21A1973082

Society5.0に貢献する誘電体材料・デバイス研究の新展開 HfO₂基材料における強誘電性の発現機構

Mechanism for Emergence of Ferroelectricity in HfO₂-based Materials

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資料名：
巻： 56 号： 7 ページ： 455-458 発行年： 2021年07月01日
JST資料番号： S0291A ISSN： 0009-031X CODEN： SERAA7 資料種別：逐次刊行物 (A)
記事区分：解説発行国：日本 (JPN) 言語：日本語 (JA)

・強誘電体メモリ材料として期待が高まっているHfO₂基材料の強誘電性の発現機構について解説。
・著者らはYを添加したHfO₂系(Y-HfO₂)のエピタキシャル薄膜で強誘電性を確認したが,強誘電性が発現する準安定直方晶が形成されるプロセスについて説明。
・0.07YO_1.5-0.93HfO₂エピタキシャル薄膜の熱処理過程における直方晶相の形成について記述。
・0.05YO_1.5-0.95(Hf,Zr)O₂の電界誘起による正方晶-直方晶相転移と強誘電性の発現について述べ,STEMによる観察結果を提示。

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強誘電体,反強誘電体,強弾性 , セラミック・磁器の性質

引用文献 (20件)：

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