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J-GLOBAL ID：202102262016153758   整理番号：21A0695992

歪フリーなPb(Zr_xTi_1-x)O₃薄膜の作製法の検討

Study on preparation method for strain-free PZT thin films

著者 (5件)： 森川友秀 (東京工大) ,  小寺正徳 (東京工大) ,  江原祥隆 (防衛大) ,  清水荘雄 (NIMS) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.8a-Z17-2  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 【緒言】Pb(Zr,Ti)O3(PZT)は組成相境界(MPB)で特に高い圧電性を示すことが知られているが、その圧電性の本質的な起源についてはまだ多くの議論が続けられている。その一因として単結晶の育成が困難であることがあげられる。一方、エピタ...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,  格子定数 ,  格子歪 ,  *薄膜 ,  X線回折分析 ,  結晶度 ,  相境界 ,  パルス ,  正方晶系 ,  薄膜成長 ,  バッファ層 ,  製膜 ,  パルスレーザ蒸着 ,  ドメイン構造 ,  単結晶成長 ,  エピタキシャル膜
準シソーラス用語： 圧電特性 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (5件)： 歪 ,  Pb ,  O3 ,  薄膜 ,  作製法