文献

J-GLOBAL ID：202102280845250911   整理番号：21A0696770

ワイドギャップ半導体β-Ga₂O₃における水素の局所電子状態

Local electronic structure of hydrogen in wide-gap semiconductor β-Ga₂O₃

著者 (11件)： 平石雅俊 (KEK 物構研) ,  岡部博孝 (KEK 物構研) ,  幸田章宏 (KEK 物構研) ,  幸田章宏 (総合研究大学院大) ,  門野良典 (KEK 物構研) ,  門野良典 (総合研究大学院大) ,  井手啓介 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  神谷利夫 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  神谷利夫 (東工大 元素セ) ,  細野秀雄 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  細野秀雄 (東工大 元素セ)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 81st  ページ： ROMBUNNO.9p-Z20-9  発行年： 2020年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： β-Ga2O3はおよそ4.9eVの大きなバンドギャップを示すことから、高耐圧のパワーデバイス用半導体として注目されている材料である。SiやSnをドープすることでn型の電気伝導を示すことがよく知られているが[1]、近年の理論計算からは格子間水...【本文一部表示】

シソーラス用語： シミュレーション ,  単結晶 ,  *半導体 ,  *ガリウム ,  ケイ素 ,  酸素 ,  *水素 ,  スズ ,  温度依存性 ,  ドーピング ,  スペクトル ,  μSR ,  バンドギャップ ,  *電子状態 ,  *ワイドギャップ半導体

分類 (2件)： 不純物・欠陥の電子構造  (BM02100I) ,  半導体の格子欠陥  (BK12040Q)

タイトルに関連する用語 (4件)： ワイドギャップ半導体 ,  β-Ga2O3 ,  水素 ,  電子状態