文献

J-GLOBAL ID：202102281333736829   整理番号：21A1575275

スパッタリング法によるY-HZO強誘電体厚膜の室温製膜とその電気特性および圧電特性評価

Preparation of Y doped HZO ferroelectric thick films at room temperature by the sputtering method and their electrical and piezoelectric properties

著者 (7件)： 志村礼司郎 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  舘山明紀 (東京工大) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  清水荘雄 (物質・材料機構) ,  白石貴久 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 応用物理学会春季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Spring Meeting (CD-ROM))
巻： 68th  ページ： ROMBUNNO.19p-Z13-5  発行年： 2021年02月26日 
JST資料番号： Y0054B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： ...【本文一部表示】

シソーラス用語： X線回折 ,...

ログイン（無料）して見る     続きはJDreamIII（有料）にて  {{ this.onShowAbsJLink("http://jdream3.com/lp/jglobal/index.html?docNo=21A1575275&from=J-GLOBAL&jstjournalNo=Y0054B") }}

分類 (2件)： 生体膜一般  (EF04010G) ,  蛋白質・ペプチド一般  (EB03010N)

タイトルに関連する用語 (8件)： スパッタリング法 ,  強誘電体 ,  厚膜 ,  室温 ,  製膜 ,  電気特性 ,  圧電特性 ,  評価