特許

J-GLOBAL ID：202103001108638785

磁気メモリ素子、並びに磁気メモリ素子の情報の書き込みおよび読み取り方法

発明者： 酒井 雄樹 ,  東 正樹 ,  清水 啓佑 ,  川邊 諒 ,  北條 元 ,  重松 圭 ,  山本 孟
出願人/特許権者： 地方独立行政法人神奈川県立産業技術総合研究所
代理人 (3件)： 森下 賢樹 ,  村田 雄祐 ,  三木 友由
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-124316
公開番号（公開出願番号）：特開2019-009304
特許番号：特許第6902783号
出願日： 2017年06月26日
公開日（公表日）： 2019年01月17日
請求項（抜粋）：

【請求項1】 ペロブスカイト構造を有し、擬立方表記で格子定数が3.90〜3.97Åである化合物からなる基板と、 前記基板上に配置された下部電極と、 前記下部電極上に配置された、下記式(1)で表される化合物からなり、厚さが200nm〜1000nmである薄膜と、 前記薄膜上に配置された上部電極と、 を含み、前記上部電極と前記下部電極との間に印加された電圧によって前記薄膜の磁化を反転することを特徴とする磁気メモリ素子。 BiFe1-xAxO3・・・(1) [式(1)中、AはCoまたはMnであり、xは0.05≦x<0.25を満たす。]

IPC (3件)：

H01L 21/8239 ( 200 6.01) ,  H01L 27/105 ( 200 6.01) ,  H01L 29/82 ( 200 6.01)

FI (2件)：

H01L 27/105 447 ,  H01L 29/82 Z

引用特許：

審査官引用 (2件)

• マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2012-179119   出願人：国立大学法人東北大学
• ペロブスカイトマンガン酸化物膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2004-008493   出願人：シャープ株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• 室温強磁性強有電体BiFe0.9Co0.1O3薄膜における電場印加磁化反転の検証
• マルチフェロイックBiFe1-xCoxO3薄膜のスピン構造変化