特許

J-GLOBAL ID：200903038462812453

ペロブスカイトマンガン酸化物膜及びその製造方法

発明者： 荻本 泰史 ,  宮野 健次郎
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (3件)： 原 謙三 ,  木島 隆一 ,  金子 一郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-008493
公開番号（公開出願番号）：特開2005-200271
出願日： 2004年01月15日
公開日（公表日）： 2005年07月28日
要約：

【課題】 メモリ素子等に適用可能な、巨大抵抗変化の原理となる電荷整列相を室温以上において示すペロブスカイトマンガン酸化物薄膜及びその製造方法を提供することにある。【解決手段】 薄膜成長時の基板温度を450°C以上600°C以下、雰囲気中の酸素圧を10mTorr(1.33322Pa)以上、20mTorr(2.66644Pa)以下の条件下でSrTiO3基板上にBi0.5Sr0.5MnO3薄膜を製造することができる。上記薄膜についてラマン散乱強度の温度依存性を調べた結果、室温においてもBi0.5Sr0.5MnO3薄膜に電荷整列相が存在するという新規知見が得られた。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

ビスマス及びストロンチウムを含んでいるペロブスカイトマンガン酸化物膜であって、ビスマスとストロンチウムの比が略0.5〜2.0の範囲にあることを特徴とするペロブスカイトマンガン酸化物膜。

IPC (8件)：

C30B29/22 ,  C01G45/00 ,  C23C14/08 ,  C23C14/28 ,  C30B23/08 ,  H01L27/10 ,  H01L43/08 ,  H01L43/12

FI (8件)：

C30B29/22 D ,  C01G45/00 ,  C23C14/08 M ,  C23C14/28 ,  C30B23/08 Z ,  H01L27/10 451 ,  H01L43/08 M ,  H01L43/12

Fターム (29件)：

4G048AA05 ,  4G048AB01 ,  4G048AC08 ,  4G048AD02 ,  4G048AD08 ,  4G048AE05 ,  4G077AA03 ,  4G077BC02 ,  4G077DA03 ,  4G077EA02 ,  4G077EA05 ,  4G077EA07 ,  4G077HA03 ,  4G077HA05 ,  4G077SA04 ,  4G077SA07 ,  4K029AA04 ,  4K029AA24 ,  4K029BA50 ,  4K029BB09 ,  4K029BD11 ,  4K029DB20 ,  5F083FZ10 ,  5F083GA27 ,  5F083JA60 ,  5F083PR21 ,  5F083PR22 ,  5F083PR33 ,  5F083ZA21

引用特許：

出願人引用 (3件)

• 特許第2685721号(公開日:1997年12月3日)
  
• 特許第3030333号(公開日:2000年4月10日)
  
• 特許第3012902号(公開日:2000年2月28日)
  

審査官引用 (3件)

• ペロブスカイト型酸化物積層膜及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-260777   出願人：シャープ株式会社, 財団法人国際超電導産業技術研究センター
• 超電導体およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-066632   出願人：東レ株式会社
• 磁気素子、磁気メモリおよび光磁気素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-241567   出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (2件)

• Room temperature charge and orbital ordering and phase coexistence in Bi0.5Sr0.5MnO3
• Double "Mn3+" stripes in Bi1-xSrxMnO3: New type of charge ordering at room temperature