マルチフェロイック薄膜及びそれを用いたデバイス

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：平山一幸
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2012-179119
公開番号（公開出願番号）：特開2014-038894
出願日： 2012年08月11日
公開日（公表日）： 2014年02月27日
要約：

【課題】キュリー温度が室温以上で磁化の大きいマルチフェロイック薄膜及びマルチフェロイック薄膜を用いたデバイスを提供する。【解決手段】マルチフェロイック薄膜は、Bi(Fe1-xCox)O3薄膜(ここで組成xは、0<x<1)からなり、厚さが1.8nm以下で、かつ、室温において、30emu/cm3以上の磁化と100μC/cm2以上の自発分極とを有している。Bi(Fe1-xCox)O3薄膜は、正方晶、菱面体晶、単斜晶の何れかの結晶構造を有している。Bi(Fe1-xCox)O3薄膜は、Bi(Fe0.9Co0.1)O3からなる。マルチフェロイック薄膜を用いたデバイスとして、スピンフィルタ素子1は、非磁性層2からなる第1の電極2aと、第1の電極2a上に形成されるBi(Fe1-xCox)O3からなるマルチフェロイック薄膜3と、該マルチフェロイック薄膜3上の強磁性層4からなる第2の電極4aと、を含んで構成される。【選択図】図14

請求項（抜粋）：

Bi(Fe1-xCox)O3薄膜(ここで組成xは、0<x<1)からなり、厚さが1.8nm以下で、かつ、室温において、30emu/cm3以上の磁化と100μC/cm2以上の自発分極とを有している、マルチフェロイック薄膜。

IPC (7件)：

H01L 43/08 , H01L 43/10 , H01L 21/824 , H01L 27/105 , G02F 1/01 , G02F 1/09 , H01L 29/82

FI (7件)：

H01L43/08 M , H01L43/08 Z , H01L43/10 , H01L27/10 447 , G02F1/01 A , G02F1/09 501 , H01L29/82 Z

Fターム (45件)：

2H079AA02 , 2H079AA03 , 2H079AA12 , 2H079BA01 , 2H079CA05 , 2H079DA03 , 2H079DA13 , 2H079DA22 , 2H079EB02 , 2H079EB18 , 4M119AA01 , 4M119AA03 , 4M119AA17 , 4M119BB01 , 4M119CC09 , 4M119CC10 , 4M119DD05 , 4M119DD17 , 4M119DD33 , 4M119DD42 , 4M119DD45 , 4M119EE22 , 4M119EE27 , 5F092AA01 , 5F092AA02 , 5F092AA04 , 5F092AB07 , 5F092AB08 , 5F092AB10 , 5F092AC12 , 5F092AC30 , 5F092AD03 , 5F092AD23 , 5F092AD24 , 5F092AD26 , 5F092BB03 , 5F092BB05 , 5F092BB45 , 5F092BB51 , 5F092BE02 , 5F092BE11 , 5F092BE12 , 5F092BE27 , 5F092CA02 , 5F092GA05

引用特許：

審査官引用 (8件)

磁気発光素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-344940 出願人：株式会社日立製作所
磁気デバイスおよびこれを用いた磁気メモリ
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-340591 出願人：松下電器産業株式会社
強誘電体薄膜
公報種別：公開公報出願番号：特願2010-218892 出願人：キヤノン株式会社, 国立大学法人東京工業大学, 国立大学法人京都大学

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引用文献：

審査官引用 (2件)

Fabrication of multiferroic Bi(Fe0.9Co0.1)O3 epitaxial films grown on SrTiO3 (100) substrates
マルチフェロイック酸化物CoドープBiFeO3の電子構造と磁気特性の第一原理計算 First-principles

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