特許
J-GLOBAL ID：202103007948636641
MIS型半導体装置およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-079420
公開番号（公開出願番号）：特開2018-182058
特許番号：特許第6941346号
出願日： 2017年04月13日
公開日（公表日）： 2018年11月15日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 半導体層と絶縁体層と導電体層を有し、前記絶縁体層が前記半導体層と前記導電体層で挟まれたMIS型半導体装置であって、
前記絶縁体層はCeF3を含む、MIS型半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/336 ( 200 6.01)
, H01L 29/78 ( 200 6.01)
, H01L 21/314 ( 200 6.01)
H01L 29/78 301 G
, H01L 21/314 A
