特許
J-GLOBAL ID：200903037356421392

窒化物半導体電界効果トランジスタ

発明者：
多木 俊裕

多木 俊裕 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (4件)： 眞鍋 潔 ,  柏谷 昭司 ,  渡邊 弘一 ,  伊藤 壽郎
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-270903
公開番号（公開出願番号）：特開2007-081346
出願日： 2005年09月16日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】 窒化物半導体電界効果トランジスタに関し、ゲートリーク電流を低減するとともに、優れた高出力特性を実現する。【解決手段】 窒化物半導体電界効果型トランジスタのゲート絶縁膜2をハロゲン化物で構成する。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
ゲート絶縁膜が、ハロゲン化物からなることを特徴とする窒化物半導体電界効果トランジスタ。
IPC (4件)：
H01L 29/78 ,  H01L 21/338 ,  H01L 29/778 ,  H01L 29/812
FI (4件)：
H01L29/78 301G ,  H01L29/78 301B ,  H01L29/78 301J ,  H01L29/80 H
Fターム (48件)：
5F102FA05 ,  5F102GB01 ,  5F102GC01 ,  5F102GD10 ,  5F102GJ02 ,  5F102GJ10 ,  5F102GL04 ,  5F102GM04 ,  5F102GM07 ,  5F102GQ01 ,  5F102GR01 ,  5F102GT01 ,  5F102GT03 ,  5F102GV08 ,  5F102HC01 ,  5F102HC11 ,  5F102HC15 ,  5F102HC19 ,  5F102HC21 ,  5F140AA01 ,  5F140AA19 ,  5F140AA24 ,  5F140AC00 ,  5F140BA02 ,  5F140BA06 ,  5F140BA09 ,  5F140BA16 ,  5F140BA20 ,  5F140BB15 ,  5F140BC12 ,  5F140BD01 ,  5F140BD04 ,  5F140BD05 ,  5F140BD07 ,  5F140BD09 ,  5F140BD11 ,  5F140BE09 ,  5F140BF05 ,  5F140BF11 ,  5F140BF15 ,  5F140BJ07 ,  5F140BJ11 ,  5F140BJ15 ,  5F140BK29 ,  5F140BK38 ,  5F140CC08 ,  5F140CC11 ,  5F140CE02
引用特許：
出願人引用 (6件)
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審査官引用 (6件)
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引用文献：
出願人引用 (1件)

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