特許

J-GLOBAL ID：202103018630395337

積層膜構造体及びその製造方法

発明者： 土田 裕也 ,  末本 祐也 ,  上岡 義弘 ,  召田 雅実 ,  倉持 豪人 ,  長田 貴弘 ,  サン リウエン ,  知京 豊裕
出願人/特許権者： 東ソー株式会社 ,  国立研究開発法人物質・材料研究機構
代理人 (2件)： 関口 正夫 ,  福田 敬孝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2020-140980
公開番号（公開出願番号）：特開2021-075779
出願日： 2020年08月24日
公開日（公表日）： 2021年05月20日
要約：

【課題】高い結晶性及び平坦性を有する積層膜構造体及びその製造方法を提供すること。【解決手段】Si(111)基板と、前記Si(111)基板の上に設けられた、窒化物系材料及び/又はアルミニウムからなる第1の薄膜と、前記第1の薄膜の上に設けられた、窒化物系材料からなる第2の薄膜と、を備える積層膜構造体であって、前記Si(111)基板上に厚さが0nm以上1.0nm未満の非層結晶が存在し、前記積層膜構造体の表面の(0002)面のロッキングカーブの半値幅(FWHM)が1.50°以下である、積層膜構造体。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Si(111)基板と、 前記Si(111)基板の上に設けられた、窒化物系材料及び/又はアルミニウムからなる第1の薄膜と、 前記第1の薄膜の上に設けられた、窒化物系材料からなる第2の薄膜と、 を備える積層膜構造体であって、 前記Si(111)基板上に厚さが0nm以上1.0nm未満の非層結晶が存在し、前記積層膜構造体の表面の(0002)面のロッキングカーブの半値幅(FWHM)が1.50°以下である、積層膜構造体。

IPC (3件)：

C23C 14/06 ,  H01L 21/203 ,  H01L 33/32

FI (4件)：

C23C14/06 P ,  C23C14/06 A ,  H01L21/203 S ,  H01L33/32

Fターム (28件)：

4K029AA06 ,  4K029AA24 ,  4K029BA58 ,  4K029BB02 ,  4K029BB07 ,  4K029BD01 ,  4K029CA06 ,  4K029DA04 ,  4K029DC03 ,  4K029DC05 ,  4K029DC34 ,  4K029DC35 ,  4K029DC39 ,  4K029EA01 ,  4K029EA03 ,  4K029EA09 ,  5F103AA08 ,  5F103DD01 ,  5F103GG01 ,  5F103HH03 ,  5F103LL02 ,  5F103LL03 ,  5F103NN01 ,  5F103NN10 ,  5F103PP06 ,  5F241AA40 ,  5F241CA40 ,  5F241CA67

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 窒化ガリウム膜の形成方法、及び、窒化ガリウム膜の形成装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2013-059786   出願人：株式会社アルバック
• 電子デバイス用基板
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-167686   出願人：ティーディーケイ株式会社
• 薄膜素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2006-171766   出願人：独立行政法人物質・材料研究機構, 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社
• 薄膜素子およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-276205   出願人：東京工業大学長, 独立行政法人物質・材料研究機構, 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社

引用文献：

審査官引用 (2件)

• 立島滉大、外7名, GaNテンプレート基板のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討,日
• 立島滉大、外7名, Si基板上GaN成長のための反応性スパッタ法を用いたAlNバッファー層作製条件の検討, 応用