薄膜素子およびその製造方法

発明者： , , , , , ,
出願人/特許権者： , ,
代理人 (3件)：谷義一 , 阿部和夫 , 橋本傳一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-276205
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111883
出願日： 2002年09月20日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】Si単結晶基板上に形成するイオン結合を有する化合物の薄膜素子を製造するに際し、基板直上に金属硫化物のエピタキシャル薄膜を形成すること。【解決手段】汎用Si基板を出発として得られた【外1】を基板として利用し【外2】を形成することが可能であり、符号1はSi(111)単結晶基板で、2は単結晶基板1上に形成されたMnS層(約50nm)、3はMnS層2上に形成されたAlN層(約1000nm)、4はAlN層上に形成され、発光層として機能するGaN層(約100nm)を示している。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

シリコン単結晶基板上にエピタキシャル成長により形成された金属硫化物層と、該金属硫化物層上にエピタキシャル成長により形成されたイオン結合性を有する化合物の薄膜とを備えたことを特徴とする薄膜素子。

IPC (7件)：

H01L21/205 , C23C14/06 , C23C16/34 , C30B29/10 , C30B29/38 , H01L21/20 , H01L29/26

FI (8件)：

H01L21/205 , C23C14/06 D , C23C16/34 , C30B29/10 , C30B29/38 C , C30B29/38 D , H01L21/20 , H01L29/26

Fターム (36件)：

4G077AA03 , 4G077AB02 , 4G077BE13 , 4G077BE15 , 4G077BE22 , 4G077DA03 , 4G077DB08 , 4G077ED06 , 4G077EF01 , 4G077HA06 , 4G077SA04 , 4K029AA06 , 4K029BA51 , 4K029BB02 , 4K029BD01 , 4K029CA01 , 4K029DB20 , 4K030AA11 , 4K030BA38 , 4K030BB02 , 4K030CA04 , 4K030FA10 , 4K030HA04 , 4K030LA14 , 5F045AA12 , 5F045AB21 , 5F045AB22 , 5F045AF03 , 5F045BB12 , 5F045CA05 , 5F045CA07 , 5F045CA12 , 5F045CB02 , 5F052JA01 , 5F052JA07 , 5F052KA01

引用特許：

審査官引用 (6件)

薄膜素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2002-191447 出願人：独立行政法人物質・材料研究機構, 東京工業大学長, 富士電機アドバンストテクノロジー株式会社
酸化物薄膜素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-194688 出願人：富士電機株式会社
特開昭61-111137

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