トレンチMOS型ショットキーダイオード

発明者： ,
出願人/特許権者： ,
代理人 (1件)：特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2021-007823
公開番号（公開出願番号）：特開2021-077903
出願日： 2021年01月21日
公開日（公表日）： 2021年05月20日
要約：

【課題】高耐圧かつ低損失のトレンチMOS型ショットキーダイオードを提供する。【解決手段】一実施の形態として、Ga2O3系単結晶からなる第1の半導体層10と、第1の半導体層10に積層される層であって、面17に開口するトレンチ12を有する、Ga2O3系単結晶からなる第2の半導体層11と、面17上に形成されたアノード電極13と、第1の半導体層10の第2の半導体層11と反対側の面上に形成されたカソード電極14と、第2の半導体層11のトレンチ12の内面を覆う絶縁膜15と、第2の半導体層11のトレンチ12内に絶縁膜15に覆われるように埋め込まれ、アノード電極13に接触するトレンチMOSゲート16と、を有し、絶縁膜15の材料がAl2O3又はHfO2である、トレンチMOS型ショットキーダイオード1を提供する。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

Ga2O3系単結晶からなる第1の半導体層と、前記第1の半導体層に積層される層であって、その前記第1の半導体層と反対側の面に開口するトレンチを有する、Ga2O3系単結晶からなる第2の半導体層と、前記第2の半導体層の前記第1の半導体層と反対側の面上に形成されたアノード電極と、前記第1の半導体層の前記第2の半導体層と反対側の面上に形成されたカソード電極と、前記第2の半導体層の前記トレンチの内面を覆う絶縁膜と、前記第2の半導体層の前記トレンチ内に前記絶縁膜に覆われるように埋め込まれ、前記アノード電極に接触するトレンチMOSゲートと、を有し、前記絶縁膜の材料がAl2O3又はHfO2である、トレンチMOS型ショットキーダイオード。

IPC (4件)：

H01L 29/872 , H01L 29/24 , H01L 29/06 , H01L 29/47

FI (9件)：

H01L29/86 301F , H01L29/86 301D , H01L29/24 , H01L29/86 301M , H01L29/06 301F , H01L29/06 301V , H01L29/86 301E , H01L29/48 D , H01L29/48 F

Fターム (24件)：

4M104AA03 , 4M104BB01 , 4M104BB02 , 4M104BB04 , 4M104BB05 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB08 , 4M104BB09 , 4M104BB14 , 4M104BB16 , 4M104BB36 , 4M104BB40 , 4M104EE02 , 4M104EE03 , 4M104EE16 , 4M104FF02 , 4M104FF10 , 4M104FF13 , 4M104FF27 , 4M104FF31 , 4M104GG03 , 4M104HH18 , 4M104HH20

引用特許：

審査官引用 (6件)

ショットキーバリアダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2014-023571 出願人：ローム株式会社
ショットキーバリアダイオード
公報種別：公開公報出願番号：特願2011-245519 出願人：株式会社タムラ製作所
半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-231511 出願人：新電元工業株式会社

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