特許
J-GLOBAL ID：201103022486261797

半導体装置

発明者：
水島 智教

水島 智教 について

, 
根本 道生

根本 道生 について


出願人/特許権者：
富士電機株式会社

富士電機株式会社 について


代理人 (1件)： 松本 洋一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2010-000469
公開番号（公開出願番号）：特開2011-142123
出願日： 2010年01月05日
公開日（公表日）： 2011年07月21日
要約：
【目的】活性部の端部に形成されたトレンチの電界強度を緩和しながら、少数キャリアを注入させることなく、耐圧の高い半導体装置を提供する。【解決手段】TMBSダイオードの活性部21と耐圧構造部22において、活性部トレンチ12を取り囲むように端部トレンチ7が設けられ、アノード電極3の外周側の端部である活性端部19は、端部トレンチ7の内部に設けられた導電性のポリシリコン13と接している。端部トレンチ7と離間して端部トレンチ7を取り囲むようにガードトレンチ8が形成されている。またアノード電極3の外周部にアノード電極3とは離間してフィールドプレート9が設けられている。フィールドプレート9は、端部トレンチ7とガードトレンチ8の間のメサ領域18におけるn型ドリフト層2の表面の一部と、ガードトレンチ8の内部に形成されている導電性ポリシリコン13の両方と接している。【選択図】 図1
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体基体からなるカソード層と、 前記カソード層の一方の主面に該カソード層よりも低濃度の第1導電型半導体基体からなるドリフト層が設けられ、 前記ドリフト層の上面に少なくとも1つの第1のトレンチと前記第1のトレンチを取り囲む端部トレンチが設けられ、 前記第1のトレンチおよび前記端部トレンチには絶縁膜を介して第1の導電体が埋め込まれており、 前記ドリフト層の上面に、前記導電体と接していて、且つ前記ドリフト層とショットキー接合をなすようにアノード電極が設けられ、 前記カソード層の他方の主面にカソード電極が設けられている半導体装置において、 前記アノード電極の外周側の端部は前記端部トレンチの第1の導電体と接しており、 前記アノード電極と離間してフィールドプレートが設けられ、 前記端部トレンチと離間して該端部トレンチを取り囲むように第2のトレンチが設けられ、 前記第2トレンチには絶縁膜を介して第2の導電体が埋め込まれており、 前記フィールドプレートは前記第2の導電体および前記端部トレンチと第2のトレンチの間のメサ領域における前記ドリフト層と接していることを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01L 29/47 ,  H01L 29/872
FI (2件)：
H01L29/48 F ,  H01L29/48 E
Fターム (18件)：
4M104AA01 ,  4M104AA03 ,  4M104AA04 ,  4M104BB01 ,  4M104BB02 ,  4M104BB03 ,  4M104BB05 ,  4M104BB06 ,  4M104BB07 ,  4M104BB14 ,  4M104BB16 ,  4M104BB18 ,  4M104FF10 ,  4M104FF27 ,  4M104FF31 ,  4M104FF32 ,  4M104GG03 ,  4M104HH18
引用特許：
審査官引用 (5件)
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2008-015453   出願人：株式会社東芝
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-094818   出願人：株式会社日立製作所, 関西電力株式会社
  • 半導体装置
    公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-231511   出願人：新電元工業株式会社
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