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J-GLOBAL ID：202202213836575462   整理番号：22A0133159

4層WSe₂/h-BN二重量子井戸における共鳴トンネル効果

Resonant tunneling effect in 4 layer WSe₂/h-BN double quantum wells

著者 (11件)： 木下圭 (東大 生産技研) ,  守谷頼 (東大 生産技研) ,  岡崎尚太 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  ZHANG Yijin (東大 生産技研) ,  増渕覚 (東大 生産技研) ,  渡邊賢司 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (東大 生産技研) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  町田友樹 (東大 生産技研) ,  町田友樹 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.12a-N307-2  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 複数層のWSe2は、図(a)に示すように積層方向の量子閉じ込め効果に起因するサブバンドを形成することが明らかにされている[1]。よって従来の半導体量子井戸のように、共鳴トンネルトランジスタ等の電子デバイスを複数層WSe2で実現できる可能性が...【本文一部表示】

シソーラス用語： *共鳴 ,  巨大共鳴 ,  *トンネル効果 ,  光学素子 ,  *共鳴トンネル効果 ,  量子閉込め ,  サブバンド間遷移 ,  電子素子 ,  サブバンド ,  半導体量子井戸 ,  硫化モリブデン(IV)
準シソーラス用語： 二硫化モリブデン ,  トンネル障壁 ,  *二重量子井戸 ,  共鳴トンネルトランジスタ , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： レーダ  (ND13010H) ,  その他の光デバイス  (BD06060O)

タイトルに関連する用語 (4件)： 4層 ,  h-BN ,  二重量子井戸 ,  共鳴トンネル効果