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J-GLOBAL ID：202202235166227940   整理番号：22A0824981

Y-置換HfO₂基材料の強誘電性の発現

Emergence of ferroelectricity in Y-substituted HfO₂

著者 (5件)： 清水荘雄 (物質・材料研究機構) ,  清水荘雄 (東京工大) ,  田代裕貴 (東京工大) ,  三村和仙 (東京工大) ,  舟窪浩 (東京工大)
資料名： 日本セラミックス協会秋季シンポジウム講演予稿集(Web)
巻： 34th  ページ： ROMBUNNO.2Q18 (WEB ONLY)  発行年： 2021年08月16日 
JST資料番号： L2240C  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

シソーラス用語： *酸化ハフニウム ,  酸化イットリウム ,  置換 ,  *誘電体薄膜 ,  *パルスレーザ蒸着 ,  熱処理 ,  基板 ,  セラミック ,  酸化ジルコニウム ,  固相 ,  *強誘電性 ,  *結晶構造 ,  YSZ【セラミック】 ,  相
準シソーラス用語： パルスレーザ堆積 ,  結晶相

分類 (3件)： 酸化物薄膜  (BK14050P) ,  金属酸化物及び金属カルコゲン化物の結晶構造  (BK07020Y) ,  強誘電体,反強誘電体,強弾性  (BM05030B)

タイトルに関連する用語 (3件)： 置換 ,  HfO2 ,  強誘電性