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J-GLOBAL ID：202202237167457019   整理番号：22A0133158

複数層WSe₂のサブバンド準位における共鳴トンネル効果の観測

Observation of resonant tunneling effect due to subband levels in few layer WSe₂

著者 (11件)： 竹山慶 (東大 生産技研) ,  守谷頼 (東大 生産技研) ,  岡崎尚太 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  ZHANG Yijin (東大 生産技研) ,  増渕覚 (東大 生産技研) ,  渡邊賢司 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (東大 生産技研) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  町田友樹 (東大 生産技研) ,  町田友樹 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 82nd  ページ： ROMBUNNO.12a-N307-1  発行年： 2021年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 複数層WSe2は間接遷移型半導体であるため、直接遷移型である単層WSe2と比較して光デバイス応用が研究されていなかった。しかし最近、複数層WSe2はサブバンド量子化準位を形成し、その準位間隔のエネルギーが赤外光に対応することが計算によって示...【本文一部表示】

シソーラス用語： *共鳴 ,  赤外線 ,  低温 ,  電気伝導 ,  半導体 ,  Fermi準位 ,  オプトエレクトロニクス ,  二次元 ,  光学素子 ,  密度汎関数法 ,  *共鳴トンネル効果 ,  *サブバンド ,  間接遷移 ,  直接遷移
準シソーラス用語： トンネル障壁 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (2件)： レーダ  (ND13010H) ,  半導体レーザ  (BD04070L)

タイトルに関連する用語 (3件)： サブバンド ,  共鳴トンネル効果 ,  観測