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J-GLOBAL ID：202202246898493373   整理番号：22A0197840

タングステン熱線触媒上で活性化したH₂/O₂混合物を用いた様々な濃度の光活性化合物によるノボラックフォトレジストの除去

Removal of Novolac Photoresist with Various Concentrations of Photo-active Compound Using H₂/O₂ Mixtures Activated on a Tungsten Hot-wire Catalyst

著者 (7件)： Akita Koki (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Sogo Shota (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Sogame Ryusei (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Yamamoto Masashi (Department of Electrical and Computer Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Nagaoka Shiro (Department of Electronic Systems Engineering, National Institute of Technology, Kagawa College) ,  Umemoto Hironobu (Shizuoka University) ,  Horibe Hideo (Department of Applied Chemistry and Bioengineering, Graduate School of Engineering, Osaka City University)
資料名： Journal of Photopolymer Science and Technology (Web)  (Journal of Photopolymer Science and Technology (Web))
巻： 34  号： 5  ページ： 499-504(J-STAGE)  発行年： 2021年 
JST資料番号： U2132A  ISSN： 1349-6336  資料種別： 逐次刊行物 (A)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 英語 (EN)

抄録/ポイント： 高温タングステンフィラメント上にHラジカルが生成する雰囲気中の少量のO₂ガスを添加すると,i/g線に対するポジトーンノボラックフォトレジストのフォトレジスト除去率が改善することを以前報告した。本研究では,フォトレジストの除去に及ぼす光活性化合物(PAC)の影響を調べた。100sccmの水素ガス流に1.5sccmを超える酸素を添加すると,除去速度が低下した。純粋なノボラック樹脂では,樹脂の架橋が240°Cを超える温度でのこの低下の原因の1つになる可能性がある。PACによる除去速度は,240°Cを超えると純粋なノボラック樹脂よりもはるかに減少した。この除去速度の低下は,樹脂とPACの間だけでなく,樹脂間の架橋にも起因する可能性がある。OHラジカルは,そのような架橋を防ぐのに十分なHラジカルを生成することによりフォトレジストの除去に効果的に使用できる。(翻訳著者抄録)

シソーラス用語： ノボラック ,  活性化 ,  *フォトレジスト ,  *タングステン ,  *遷移金属触媒 ,  ラジカル ,  水素 ,  速度 ,  分子構造 ,  結合 ,  硬化 ,  *ヒドロキシルラジカル ,  *タングステン触媒 ,  架橋構造 ,  水素ラジカル ,  光活性化
準シソーラス用語： ノボラック樹脂 ,  *ヒドロキシラジカル ,  *ポジティブ型フォトレジスト ,  交差結合 ,  光活性 ,  除去速度

著者キーワード (6件)： 架橋 ,  硬化 ,  H_2/O_2混合物 ,  光活性化合物(PAC) ,  ラジカル ,  除去

分類 (4件)： 半導体の表面構造  (BK15030A) ,  その他の光デバイス  (BD06060O) ,  有機第6族・有機第7族元素化合物  (CF09055M) ,  光化学反応,ラジカル反応  (CF02090A)

引用文献 (20件)：

• 1. H. Morinaga, T. Futatsuki, T. Ohmi, E. Fuchita, M. Oda, and C. Hayashi, J. Electrochem. Soc., 142 (1995) 966.
• 2. T. Miura, M. Kekura, H. Horibe, and M. Yamamoto, J. Photopolym. Sci. Technol., 21 (2008) 311.
• 3. K. Shinagawa, H. Shindo, K. Kusaba, T. Koromogawa, J. Yamamoto, and M. Furukawa, Jpn. J. Appl. Phys., 40 (2001) 5856.
• 4. A. Izumi and H. Matsumura, Jpn. J. Appl. Phys., 41 (2002) 4639.
• 5. M. Yamamoto, H. Horibe, H. Umemoto, K. Takao, E. Kusano, M. Kase, and S. Tagawa, Jpn. J. Appl. Phys., 48 (2009) 026503.

タイトルに関連する用語 (10件)： タングステン ,  熱線 ,  触媒 ,  活性化 ,  H2 ,  O2 ,  混合物 ,  光活性 ,  ノボラック ,  フォトレジスト