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J-GLOBAL ID：202202251760166579   整理番号：22A1211030

カーボンオニオンにより超精密研磨した単結晶SiC面の加工変質層評価

Evaluation of damaged layer on ultraprecision polished single crystal SiC surface with carbon onion

著者 (4件)： 村井祥祐 (東京工大) ,  桃園聡 (東京工大) ,  青野祐子 (東京工大) ,  平田敦 (東京工大)
資料名： 精密工学会大会学術講演会講演論文集(CD-ROM)  (精密工学会秋季大会学術講演会講演論文集(CD-ROM))
巻： 2022  号： 春季  ページ： ROMBUNNO.I105  発行年： 2022年03月02日 
JST資料番号： Y0914B  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： カーボンオニオンを砥粒として超精密研磨した単結晶SiC面の変質層の評価を試みた.異なる研磨圧力条件下でカーボンオニオンによる研磨を行い,研磨面に対して表面粗さ評価,X線ロッキングカーブ測定による結晶品質の評価を実施した.その結果,カーボンオニオンを用いた機械研磨で超平滑面が形成され,加工変質量が低減すること,また研磨圧力が小さいほどその効果が高いことを確認した.(著者抄録)

シソーラス用語： ナノ粒子 ,  *研磨 ,  単結晶 ,  *炭化ケイ素 ,  *加工変質層 ,  砥粒 ,  表面粗さ ,  ロッキングカーブ ,  品質 ,  圧力効果 ,  カーボンオニオン ,  *機械研磨 ,  結晶品質 ,  *超精密研磨 ,  *機械工作
準シソーラス用語： X線ロッキングカーブ

分類 (1件)： 研削  (QC03000R)

引用文献 (5件)：

• 松波弘之,大谷昇,木本恒暢,中村孝編著:半導体SiC技術と応用第2版,日刊工業新聞社,(2011).
• 向後博康,平田敦:カーボンオニオンのナノ砥粒としての適用可能性に関する研究,精密工学会誌,77,3 (2011) 311.
• 山下由寛,桃園聡,青野祐子,平田敦:分子動力学法を用いたカーボンオニオン粒子の圧縮せん断挙動シミュレーション,精密工学会春季大会学術講演会講演論文集,(2021) 703.
• E. Letts, Y. Sun, D. Key, B. Jordan and T. Hashimoto : X-ray characterization technique for the assessment of surface damage in GaN wafers, Journal of Crystal Growth, 501, (2018) 13.
• S. Dolabella, A. Borzì, A. Dommann and A. Neels : Lattice Strain and Defects Analysis in Nanostructured Semiconducto r Materials and Devices by High-Resolution X-Ray Diffraction: Theoretical and Practical Aspects, Small Methods, (2021) 2100932.

タイトルに関連する用語 (4件)： カーボンオニオン ,  超精密研磨 ,  加工変質層 ,  評価