文献

J-GLOBAL ID：202202287594965653   整理番号：22A2080403

WSe₂n/p FETsを用いた低電圧動作CMOSインバータ

Low Voltage Operation of CMOS Inverter Based on WSe₂ n/p FETs

著者 (8件)： 川那子高暢 (東京工大 未来産技研) ,  松崎貴広 (東京工大) ,  梶川亮介 (東京工大) ,  宗田伊理也 (東京工大) ,  星井拓也 (東京工大) ,  角嶋邦之 (東京工大) ,  筒井一生 (東京工大 未来産技研) ,  若林整 (東京工大)
資料名： 電子情報通信学会技術研究報告(Web)  (IEICE Technical Report (Web))
巻： 122  号： 84(SDM2022 24-32)  ページ： 23-26 (WEB ONLY)  発行年： 2022年06月14日 
JST資料番号： U2030A  ISSN： 2432-6380  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 原著論文  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

抄録/ポイント： 本研究では二セレン化タングステン(WSe₂)相補型金属酸化膜半導体(CMOS)インバータの低電源電圧(V_dd)での高利得動作のためのデバイスコンセプトについて報告する。フルオロポリマーとポリビニルアルコール(PVA)による機能性樹脂のスピンコーティングにより,電子と正孔の両方がWSe₂へドーピングされる。積層自己組織化単分子膜(SAM)/酸化アルミニウム(AlO_x)ゲート絶縁膜は,高いゲート容量と優れた界面特性を同時に実現する。これらのドーピング技術とゲートスタック技術を開発することにより,WSe₂CMOSインバータで0.5VのV_ddで9の高ゲインを実験的に実証した。(著者抄録)

シソーラス用語： FET【トランジスタ】 ,  *論理回路 ,  CMOS ,  インバータ ,  *セレン化物 ,  *タングステン化合物 ,  *スピンコーティング ,  ドーピング ,  ゲート絶縁膜 ,  *セレン化タングステン
準シソーラス用語： *CMOSインバータ

分類 (2件)： 電力変換器  (NB08030B) ,  固体デバイス製造技術一般  (NC03030V)

引用文献 (15件)：

• Q. H. Wang, K. K. Zadeh, A. Kis, J. N. Coleman, and M. S. Strano, Nat. Nanotechnol. 7, 699 (2012).
• Y. Taur and T. H. Ning, Fundamentals of Modern VLSI Devices (Cambridge University Press, Cambridge, 1998).
• S. Wachter, D. K. Polyushkin, O. Bethge, and T. Mueller, Nat. Commun. 8, 14948 (2017).
• D. Akinwande, C. Huyghebaert, C.-H. Wang, M. I. Serna, S. Goossens, L.- J. Li, H.-S. P. Wong, and F. H. L. Koppens, Nature 573, 507 (2019).
• F. A. Rasmussen and K. S. Thygesen, J. Phys. Chem. C 119, 13169 (2015).

タイトルに関連する用語 (2件)： 低電圧 ,  CMOSインバータ