特許
J-GLOBAL ID：202203018789539221
トレンチMOS型ショットキーダイオード
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
特許業務法人平田国際特許事務所
公報種別：特許公報
出願番号（国際出願番号）：特願2017-034835
公開番号（公開出願番号）：特開2018-142577
特許番号：特許第7116409号
出願日： 2017年02月27日
公開日（公表日）： 2018年09月13日
請求項（抜粋）：
【請求項1】 β型のGa2O3系単結晶からなる第1の半導体層と、 前記第1の半導体層に積層される層であって、その前記第1の半導体層と反対側の面に開口する複数のトレンチを有する、β型のGa2O3系単結晶からなる第2の半導体層と、 前記第2の半導体層の前記第1の半導体層と反対側の面上に形成されたアノード電極と、 前記第1の半導体層の前記第2の半導体層と反対側の面上に形成されたカソード電極と、 前記第2の半導体層の前記トレンチの内面を覆う絶縁膜と、 前記第2の半導体層の前記トレンチ内に前記絶縁膜に覆われるように埋め込まれ、前記アノード電極に接触するトレンチMOSゲートと、 を有し、 前記第2の半導体層が、前記第1の半導体層側の下層と、前記下層よりも高いドナー濃度を有する、前記アノード電極側の上層とから構成され、 前記下層のドナー濃度が3.0×1016cm-3以上、6.0×1016cm-3以下であり、 前記上層のドナー濃度が4.5×1016cm-3以上、2.4×1017cm-3以下であり、隣接する前記トレンチの間の前記第2の半導体層のメサ形状部分が、前記第2の半導体層の前記上層のドナー濃度に応じた1.4μm以下の幅を有し、1μAのリーク電流が流れるときの逆方向電圧が600V以上1200V以下である、 トレンチMOS型ショットキーダイオード。
IPC (2件)：
H01L 29/872 ( 200 6.01)
, H01L 29/47 ( 200 6.01)
H01L 29/86 301 F
, H01L 29/86 301 D
, H01L 29/86 301 E
, H01L 29/48 D
, H01L 29/48 F
