特許
J-GLOBAL ID：200903066794252676
半導体素子およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
酒井 昭徳
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-264278
公開番号（公開出願番号）：特開2007-080971
出願日： 2005年09月12日
公開日（公表日）： 2007年03月29日
要約：
【課題】SiC製の縦型トレンチMOSFET等の半導体素子において、チャネル抵抗の平均値を大幅に増加させることなく、チャネル抵抗に大幅なばらつきが生じるのを防ぐこと。【解決手段】主面が概ね{0001}面であり、かつオフ角αを有する4H-SiC基板31と、トレンチ側壁面と基板主面とのなす角度のウェハ面内におけるばらつきの標準偏差がσとなるトレンチ形成装置を用いる。トレンチ側壁面と基板主面とのなす角度の設計値を、「60度+2σ」以上で、かつ「90度-tan-1(0.87×tanα)-2σ」以下の範囲の任意の角度に設定して、SiC基板31にトレンチ38を形成することによって、トレンチ側壁面と基板主面とのなす角度が、60度以上で、かつ「90度-tan-1(0.87×tanα)」以下である半導体素子を得る。【選択図】 図3
請求項（抜粋）：
主面の方位が概ね{0001}面であり、かつオフ角αを有するSiC半導体層に、側壁面の法線を前記SiC半導体層の主面に射影したときの方向が概ね<1-100>方向であるトレンチが形成された半導体素子であって、
前記トレンチの側壁面と前記SiC半導体層の主面とのなす角度が、60度以上で、かつ「90度-tan-1(0.87×tanα)」以下であることを特徴とする半導体素子。
IPC (3件)：
H01L 29/12
, H01L 29/78
, H01L 21/336
H01L29/78 652T
, H01L29/78 653A
, H01L29/78 652K
, H01L29/78 658G
出願人引用 (8件)
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特許第3610721号公報(段落番号0007、0035)
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MOSデバイス
公報種別：公開公報
出願番号：特願2001-060383
出願人：株式会社シクスオン, 関西電力株式会社, 住友電気工業株式会社, 三菱商事株式会社
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炭化珪素半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報
出願番号：特願平10-068896
出願人：株式会社デンソー
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審査官引用 (6件)
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