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J-GLOBAL ID：202302233937099147   整理番号：23A0205778

4層WSe₂のサブバンド間共鳴トンネルにおけるツイスト角度依存性

Twist-angle dependence of resonant tunneling between quantized subbands in 4-layer WSe₂

著者 (11件)： 木下圭 (東大 生産技研) ,  守谷頼 (東大 生産技研) ,  岡崎尚太 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  ZHANG Yijin (東大 生産技研) ,  増渕覚 (東大 生産技研) ,  渡邊賢司 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (物質・材料研究機構) ,  谷口尚 (東大 生産技研) ,  笹川崇男 (東京工大 フロンティア創造共同研セ) ,  町田友樹 (東大 生産技研) ,  町田友樹 (JST-CREST)
資料名： 応用物理学会秋季学術講演会講演予稿集(CD-ROM)  (Extended Abstracts. JSAP Autumn Meeting (CD-ROM))
巻： 83rd  ページ： ROMBUNNO.23p-B203-5  発行年： 2022年08月26日 
JST資料番号： Y0055B  ISSN： 2758-4704  資料種別： 会議録 (C)
記事区分： 短報  発行国： 日本 (JPN)  言語： 日本語 (JA)

本文一部表示： 複数層WSe2の伝導帯および価電子帯において、積層方向の量子閉じ込め効果に起因するサブバンドが形成される[1][2](Fig.1a)。本研究では、複数層WSe2のサブバンド間の共鳴トンネル現象において、WSe2のツイスト角度が与える影響につ...【本文一部表示】

シソーラス用語： *共鳴 ,  低温 ,  電圧 ,  トンネル効果 ,  結晶方位 ,  伝導バンド ,  キャリア密度 ,  価電子バンド ,  波数 ,  量子閉込め ,  グラフェン ,  負性微分抵抗 ,  *サブバンド
準シソーラス用語： 二重ゲート ,  トンネル障壁 ,  ゲート電圧 , 【Automatic Indexing@JST】

分類 (1件)： レーダ  (ND13010H)

タイトルに関連する用語 (5件)： 4層 ,  サブバンド ,  共鳴 ,  トンネル ,  角度依存性